11月08日-10日，第四届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2023）于中国首都-北京盛大召开。中科汇珠副总经理、首席技术官杨军伟受邀出席本次大会，并作主旨演讲：液相法衬底的外延生长研究，旨在阐明液相法技术的先进性、可靠性及稳定性。演讲围绕液相法SiC衬底的外延技术研发展开，介绍了液相法生长碳化硅晶体的优势，包括能有效提高晶体质量，降低生产成本，并能解决PVT法碳化硅p型掺杂衬底电阻率大及无法获得3C-SiC单晶的产业化难题。液相法SiC单晶材料可大幅度提高器件产品良率，对推动宽禁带半导体产业发展具有重要意义。演讲重点介绍了中科汇珠近期在基于液相法单晶衬底上的外延技术开发成果，为后续公司P型和3C-SiC外延片的批量出货以及下游器件的制备与应用夯实了基础。

杨军伟：液相法衬底的外延生长研究

本次大会以“开放联通，共筑未来”为主题，会议聚焦宽禁带半导体相关材料及器件多学科主题，邀请全球60余位知名专家学者、企业领袖、资本机构，通过大会报告、专场报告、高峰论坛、口头报告、项目路演和墙报等形式，分享全球宽禁带半导体技术最新研究进展，交换产业前瞻性观点，展示企业先进成果，促进行业互联互通。杨军伟分享了半导体关键材料实现国产替代进程中碳化硅外延的技术革新，呼吁行业协同开放联通，持续开拓市场应用，打开行业增量市场，推动碳化硅产业的高质量发展，共筑半导体行业美好未来。

亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM）自2018年在中国北京举办首届会议以来，目前已经成功举办三届，每届会议均吸引来自欧美日等十余个国家或地区的权威代表参加，历届出席人数累计超过2000人次，共发表近200个报告分享，吸引700余家企业参与，现已成为亚太地区宽禁带半导体产业与学术并重的高水平论坛，得到了社会各界的广泛认可和支持，带动了亚太地区碳化硅等宽禁带半导体产业与学术的强势发展，加快了产业内跨界融合创新与协同驱动发展的进程。