北京市科协、北京科技记者编辑协会推出“首都科技人”系列宣传，旨在展示首都科技工作者在聚焦国家重大需求和“四个面向”时矢志不移、勇攀高峰的先进事迹和优秀典型。
摘自中国新闻网：来自中国科学院微电子研究所的最新消息说，该所刘新宇、汤益丹团队和中国科学院空间应用工程与技术中心刘彦民团队等开展合作，共同研制出首款国产高压抗辐射碳化硅(SiC)功率器件及其电源系统，已成功通过太空第一阶段验证并实现其在电源系统中的在轨应用。
作为第三代宽禁带半导体材料，SiC（碳化硅）凭借其优异的物理和电学特性，尤其在高频、高压和大功率半导体器件中展现出广泛的应用前景。
北京晶格领域半导体有限公司（以下简称“晶格领域”）近日获得了北京市政府投资基金的重点投资。这一重大利好将进一步加速公司在液相法碳化硅（SiC）衬底的研发和生产进程，助力其成为国内领先的第三代半导体材料供应商。
