检测和分析 SiC 外延中的表面缺陷和晶体缺陷

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技术参数:

1) 微分干涉镜头:532 nm波段光源

2) 暗场镜头:457nm波段光源

3) PL镜头:313波段光源

4) PLX镜头:355波段光源

5) 自动聚焦测量范围:±1.5mm

6) XYZ平台:移动范围550*400*5(XYZ),重复定位精度0.1um,测量精度:±0.5um

7) 重复性:CV≤5%

8) 致命缺陷测试准确性:≥95%