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类目 |
典型值 |
典型值 |
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晶型 / 尺寸 |
4H / 4或6英寸 |
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CMP晶面 |
(0001)Si晶面 |
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偏角 |
偏[11-20]4度 |
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导电性 |
n型 |
p型 |
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掺杂 |
氮 |
铝 |
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载流子浓度 |
范围 |
1E14 ~ 5E15cm-3 |
2E14 ~ 5E17cm-3 |
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容忍度 |
±15% |
±25% |
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均匀度 |
≤6% |
≤15% |
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厚度 |
范围 |
20 ~ 200 μm |
20 ~ 200 μm |
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容忍度 |
± 6 % |
± 6 % |
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均匀度 |
≤ 2% |
≤ 2% |
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表面缺陷密度 |
≤1 cm-2 |
≤ 1 cm-2 |
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表面粗糙度 |
≤ 1 nm |
≤ 2 nm |
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注释：
厚度及载流子浓度测试方法通常为9点（去边=5mm)（如图），客户可指定测试方法。
①载流子浓度使用MCV测试仪进行测量。
②厚度使用红外光谱仪进行测量。
③表面缺陷包含彗星缺陷、三角形缺陷、胡萝卜缺陷以及掉落物。
④表面粗糙度使用原子力显微镜进行测量，扫描尺寸为10×10 μm2。
*注：我司可根据客户定制参数更严格的外延片。