中科汇珠已掌握高质量SiC外延片的量产关键技术，外延片的膜厚和载流子浓度面内及片间均匀性已达到国内一流水平，缺陷控制技术比肩国内外主流外延厂商。

中科汇珠自2021年以来陆续通过了4吋650V/10A规格肖特基二极管（SBD）、6吋650V/60mW规格金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）、6吋1200V/30A规格SBD以及6吋1200V/26mW规格MOSFET的流片验证，良率比肩国内一流水平，量产SiC外延片的质量获得了下游头部器件厂商的高度认可。

中科汇珠6吋外延片

4/6吋外延片规格参数