对于外延片两个关键参数厚度和载流子浓度，目前n型4H-SiC衬底的外延片批量工艺水平如下：面内厚度均匀性≤3%，面内载流子浓度均匀性≤5%，厚度容差为±6%，浓度容差为±10%。
基于液相法n型3C-SiC衬底
导电类型及晶型：p型4H-SiC，n型3C-SiC
基于液相p型4H-SiC衬底的外延片
我司配备针对SiC晶片的粗糙度等检测与分析服务
我司配备针对SiC晶片的缺陷检测设备，可提供SiC晶片缺陷检测与分析服务
